Guangzhou Ideal supply Permanent ESD PEEK Film with surface resistance 10⁶–10⁹ Ω/sq, high temp resistance -200℃ to 260℃, outgassing ຕ່ໍາ, nanotube ກາກບອນດັດແກ້ ESD PEEK ແຜ່ນສໍາລັບ wafer vacuum chuck, ສະຖານີ probe, fixture ເອເລັກໂຕຣນິກ. ຄວາມຫນາແລະຂະຫນາດທີ່ກໍາຫນົດເອງທີ່ມີຢູ່.
ຟິມ ESD PEEK ໄດ້ຖືກຕື່ມໃສ່ພາຍໃນແລະດັດແກ້ດ້ວຍທໍ່ nanotubes ກາກບອນຫຼືກາກບອນສີດໍາທີ່ລະອຽດອ່ອນທີ່ສຸດແລະຜະລິດໂດຍຜ່ານຂະບວນການຫລໍ່ຫລໍ່ຫລອມຫຼືຂະບວນການກະຈົກ. ມັນປະສົມປະສານປະສິດທິພາບຄົງທີ່ - dissipative ທີ່ໂດດເດັ່ນ, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ຄວາມຕ້ານທານການທໍາຄວາມສະອາດ solvent, retardancy flame ແລະການຕໍ່ຕ້ານ radiation. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດ semiconductor ແລະອຸດສາຫະກໍາພະລັງງານໃຫມ່.
ຮູບເງົາ PEEK ຕ້ານການສະຖິດ ມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນໂດຍພື້ນຖານຈາກຮູບເງົາພລາສຕິກທີ່ເຄືອບດ້ວຍພື້ນຜິວແບບດັ້ງເດີມ. ຮູບເງົາທີ່ເຄືອບພື້ນຜິວແມ່ນລາຄາຕໍ່າ ແລະມີຄວາມໂປ່ງໃສ, ແຕ່ການເຄືອບຕ້ານການສະຖິດຂອງພວກມັນຈະ delaminate ສູງກວ່າ 120°C ແລະ ລົ້ມເຫລວຢ່າງສົມບູນຫຼັງຈາກການທໍາຄວາມສະອາດຂອງສານລະລາຍ. ຮູບເງົາດັ່ງກ່າວແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນໄລຍະສັ້ນໃນໄລຍະສັ້ນເທົ່ານັ້ນ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ຕົວຕື່ມຕົວນໍາໃນຮູບເງົາ ESD PEEK ແມ່ນກະແຈກກະຈາຍຢ່າງເປັນເອກະພາບພາຍໃນມາຕຣິກເບື້ອງ PEEK, ສະຫນອງການປະຕິບັດແບບຄົງທີ່ - dissipative ຖາວອນ. ບໍ່ມີ delamination ການເຄືອບຫຼືຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງຕ້ານ static ເກີດຂຶ້ນໃນລະຫວ່າງການຂັດ, ການທໍາຄວາມສະອາດ solvent, ຫຼືການບໍລິການໃນໄລຍະຍາວອຸນຫະພູມສູງ.
Guangzhou Ideal ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການຄົ້ນຄວ້າແລະການຜະລິດຮູບເງົາ PEEK ນັບຕັ້ງແຕ່ 2014, ສະສົມຫຼາຍກວ່າ 12 ປີຂອງປະສົບການອຸດສາຫະກໍາມືອາຊີບ. ຊຸດຮູບເງົາ ESD PEEK ຂອງພວກເຮົາປະກອບມີປະເພດ semiconductor-grade ຄາບອນສູງ (CNT) ລະດັບສູງ, ຊັ້ນຮຽນອຸດສາຫະກໍາທົ່ວໄປທີ່ເຕັມໄປດ້ວຍກາກບອນສີດໍາທີ່ລະອຽດອ່ອນ, ແລະຊັ້ນ ESD ທີ່ມີເສັ້ນໄຍກາກບອນ.
1. CNT ຊັ້ນສູງ semiconductor
ທໍ່ nanotubes ກາກບອນແມ່ນວັດສະດຸ nanocarbon tubular ມິຕິຫນຶ່ງທີ່ມີອັດຕາສ່ວນລັກສະນະສູງທີ່ສຸດ. ເຄືອຂ່າຍ conductive ສາມມິຕິລະດັບຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງສາມາດຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນດ້ວຍການໂຫຼດ filler ຕ່ໍາທີ່ສຸດ. ທໍ່ nanotubes ກາກບອນທັງຫມົດແມ່ນ encapsulated ຢ່າງເຕັມສ່ວນໂດຍ resin matrix ທີ່ບໍ່ມີອະນຸພາກກາກບອນທີ່ຜະລິດໂດຍບໍ່ເສຍຄ່າ. ຊັ້ນຮຽນນີ້ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບຂະບວນການຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງ semiconductor ທີ່ສະອາດສູງລວມທັງການຈັດການ wafer, ການດໍາເນີນງານສະຖານີ probe, ລະບົບຫ້ອງສູນຍາກາດແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ optical.
2. Ultra-fine conductive carbon black ເກຣດອຸດສາຫະກໍາ
ປະກອບດ້ວຍອະນຸພາກກາກບອນ spherical ທີ່ປະກອບເປັນເຄືອຂ່າຍ conductive ໂດຍຜ່ານການຕິດຕໍ່ລະຫວ່າງອະນຸພາກ, ຊັ້ນຮຽນນີ້ມີລະດັບຄວາມຕ້ານທານຂອງພື້ນຜິວທີ່ຫມັ້ນຄົງຂອງ 10⁶–10⁹ Ω / sq ທີ່ມີການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຕ້ານທານເປັນເອກະພາບແລະ anisotropy ອ່ອນແອ. ການໂຫຼດເຄື່ອງເຕີມຂ້ອນຂ້າງສູງແມ່ນຕ້ອງການເພື່ອບັນລຸປະສິດທິພາບ ESD ທີ່ມີຄຸນວຸດທິ. ການເພີ່ມກາກບອນທີ່ມີສີດໍາຫຼາຍເກີນໄປຈະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມແຂງຂອງຮູບເງົາແລະເຮັດໃຫ້ຄາບອນທີ່ເຮັດໃຫ້ເກີດການເສຍສະຫຼະຂອງຄາບອນທີ່ເກີດຈາກຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຄວາມສະອາດຂອງພື້ນຜິວທີ່ບໍ່ດີ. ມັນບໍ່ສາມາດໃຊ້ໄດ້ກັບຂະບວນການ wafer semiconductor ຊັ້ນສູງແລະສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທໍາມະດາ, ອົງປະກອບຫມໍ້ໄຟ lithium, ເຄື່ອງມືທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະອຸປະກອນການລະເບີດທົ່ວໄປສໍາລັບການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ທີ່ມີປະສິດທິພາບ.
3. ຟັກຄາບອນເສັ້ນໄຍເສີມເກຣດ
ເສັ້ນໄຍກາກບອນຟັກທີ່ອີງໃສ່ PAN ສະຫນອງທັງການກະຈາຍສະຖິດແລະການເສີມສ້າງໂຄງສ້າງ, ສະຫນອງຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນແລະການຕໍ່ຕ້ານການຂັດ. ຄວາມຕ້ານທານດ້ານຫນ້າຂອງມັນຕັ້ງແຕ່ 10⁴–10⁷ Ω/sq. ຂໍ້ຈໍາກັດຕົ້ນຕໍແມ່ນ anisotropy conductive ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນລະຫວ່າງການຫລໍ່ extrusion, ສົ່ງຜົນໃຫ້ deviation ຄວາມຕ້ານທານ MD / TD ເລັກນ້ອຍ. ເກຣດເຮືອທຸງແບບອະເນກປະສົງນີ້ຖືກໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງສໍາລັບເຄື່ອງຕິດໄຟ semiconductor, ແກ໊ສທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງ SMT ແລະເຄື່ອງມືຫມໍ້ໄຟ lithium.
ໝາຍເຫດ: ບໍ່ແມ່ນຮູບເງົາ PEEK ທີ່ເຕັມໄປດ້ວຍຄາບອນທັງໝົດມີຄຸນສົມບັດ ESD ທີ່ມີຄຸນສົມບັດ. PEEK ທີ່ອຸດົມໄປດ້ວຍຄາບອນ CF30 ບັນຈຸສານເຕີມເຕັມທີ່ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງການນໍາໄຟຟ້າຫຼາຍເກີນໄປແລະບໍ່ສາມາດນໍາໃຊ້ເປັນຟິມ ESD ແບບຄົງທີ່ມາດຕະຖານ.
ດ້ວຍຫຼາຍກວ່າທົດສະວັດຂອງການສະສົມດ້ານວິຊາການ, ການລົງທຶນອຸປະກອນການຜະລິດລະດັບສູງແລະລະບົບການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບມາດຕະຖານ, Guangzhou Ideal ໄດ້ແກ້ໄຂຈຸດເຈັບປວດທີ່ມີຄຸນນະພາບທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດຮູບເງົາ ESD PEEK.
1. Custom twin-screw extrusion ອຸປະກອນທີ່ມີການຕັ້ງຄ່າສະກູທີ່ດີທີ່ສຸດດຸ່ນດ່ຽງການກະຈາຍ filler ເອກະພາບແລະໂຄງສ້າງເສັ້ນໄຍ intact, ກໍາຈັດ drift ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງແລະຮັບປະກັນຄວາມຕ້ານທານຂອງພື້ນຜິວທີ່ຫມັ້ນຄົງຫຼັງຈາກວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນ.
2. ໂດຍການຫຼຸດຄວາມຕຶງຄຽດ ແລະ ອັດຕາສ່ວນການດຶງ ແລະ ນຳໃຊ້ການປິ່ນປົວການຫຼໍ່ຫຼອມແບບ gradient, ພວກເຮົາຫຼຸດຜ່ອນການເໜັງຕີງຂອງ anisotropy ທີ່ມີປະສິດທິພາບ ແລະ ການບ່ຽງເບນການຕ້ານທານທິດທາງ.
3. Precision gradient annealing ກັບການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງອຸນຫະພູມທີ່ຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດແລະອັດຕາການເຮັດຄວາມເຢັນປ່ອຍຄວາມກົດດັນພາຍໃນທີ່ຕົກຄ້າງ, ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ warpage ແລະ curling ຫຼັງຈາກ slitting ແລະເສຍຊີວິດການຕັດ.
4. ການແກ້ໄຂ granulation ແມ່ນສໍາເລັດໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ບໍ່ມີຂີ້ຝຸ່ນເພື່ອປົກປ້ອງເສັ້ນໄຍ-matrix interfacial bonding. ອັນນີ້ຊ່ວຍແກ້ບັນຫາການເຊື່ອມໂຊມຂອງຜິວໜ້າ ແລະ ການຫຼັ່ງຄາບອນທີ່ເກີດຈາກການເກີດການເສຍສະຫຼະ, ປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກຈຸນລະພາກ ແລະ ການຂູດຂອງ wafer.
ຟິມ ESD PEEK ເກຣດ Semiconductor-grade ສະຫນອງຄວາມຕ້ານທານທີ່ຫມັ້ນຄົງຂອງ 10⁶–10⁹ Ω/sq ສໍາລັບການໄຫຼຄົງທີ່ທີ່ເປັນເອກະພາບ, ປ້ອງກັນການທໍາລາຍແຮງດັນສູງຂອງ wafers ແລະຊິບ IC. ຊັ້ນສນວນກັນຄວາມຮ້ອນເຄິ່ງສນວນ (10¹⁰–10¹² Ω/sq) ການດຸ່ນດ່ຽງການດຸ່ນດ່ຽງແລະການສະກັດກັ້ນສະຖິດດ້ວຍການລອຍລົມໃນອຸນຫະພູມສູງໜ້ອຍທີ່ສຸດ. ຮູບເງົາສະຫນັບສະຫນູນການດໍາເນີນການຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຢູ່ທີ່ 260 ° C ດ້ວຍການເຫນັງຕີງຂອງຄວາມຕ້ານທານຄວບຄຸມພາຍໃນ 5%, ກໍາຈັດການສະສົມສະຖິດຢູ່ໃນສະພາບແວດລ້ອມສູນຍາກາດ.
ຮູບເງົາ ESD PEEK ສະຫນອງອຸນຫະພູມການບໍລິການຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງ -200 ° C ຫາ 260 ° C ແລະທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນໃນໄລຍະສັ້ນເຖິງ 340 ° C. ມັນຍັງຄົງທົນທານຕໍ່ຮອຍແຕກໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາແລະທົນທານຕໍ່ການອ່ອນລົງ, ການໄຫຼຂອງຄວາມຮ້ອນ, ການຜິດປົກກະຕິແລະການເກີດສົງຄາມໃນອຸນຫະພູມສູງ, ຮັກສາການປະຕິບັດມິຕິທີ່ຫມັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນສະຫຼັບ.
ຮູບເງົາມີຄວາມເຂັ້ມແຂງ tensile ແລະ tear ສູງ. ຂໍ້ມູນສະເພາະບາງໆສາມາດຕ້ານການກະດູກຫັກ ແລະຮອຍແຕກຊ້ຳໆ. ດ້ວຍຄຸນສົມບັດຂອງການຫລໍ່ລື່ນດ້ວຍຕົວເອງ, ຄ່າສໍາປະສິດ friction ຕ່ໍາແລະອັດຕາການສວມໃສ່ຕ່ໍາ, ມັນສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງໂຄງສ້າງໃນໄລຍະຍາວທີ່ດີເລີດ. ການຜິດປົກກະຕິຂອງ creep ຕ່ໍາຮັບປະກັນບໍ່ມີການລົ້ມລົງຂອງໂຄງສ້າງສໍາລັບ gaskets ແລະ lining films ພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນຂອງອຸນຫະພູມສູງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.
Anti-static Film PEEK ທົນທານຕໍ່ອາຊິດທີ່ເຂັ້ມແຂງທີ່ສຸດ, ເປັນດ່າງ, ketones, esters, ເຫຼົ້າແລະສານລະລາຍທໍາຄວາມສະອາດອຸດສາຫະກໍາ, ມີພຽງແຕ່ອາຊິດຊູນຟູຣິກເຂັ້ມຂຸ້ນສາມາດລະລາຍ substrate PEEK ໄດ້. ມີການຮົ່ວໄຫຼຂອງ ionic ຕໍ່າສຸດ ແລະ ການໄຫຼຂອງອະນຸພາກໜ້ອຍທີ່ສຸດ, ຟີມດັ່ງກ່າວໄດ້ມາດຕະຖານຫ້ອງປະຊຸມຊັ້ນ 1 ແລະ ຊັ້ນ 10 ແລະ ຫຼີກເວັ້ນການປົນເປື້ອນຂອງເລນ wafer ແລະ optical.
1. ການຜະລິດ wafer semiconductor
ໃນຖານະເປັນວັດສະດຸຫຼັກສໍາລັບຂະບວນການຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງ semiconductor, ການກະຈາຍສະຖິດແບບຖາວອນຂອງຮູບເງົາ ESD PEEK, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ການລະບາຍອາກາດຕ່ໍາແລະຄຸນສົມບັດການຫຼົ່ນລົງຂອງຜົງບໍ່ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການດູດຝຸ່ນ wafer, ທໍ່ດູດຄວາມຮ້ອນຂອງສະຖານີ probe, ປ່ຽງ ESD ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນ, ແລະ wafer carrier isolation films.
2. ເຄື່ອງເອເລັກໂທຣນິກທີ່ຊັດເຈນ, PCB ແລະອຸປະກອນທົດສອບ
ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງມັນເຮັດໃຫ້ການຜະລິດຮູບເງົາ insulating ESD ສໍາລັບອຸປະກອນການທົດສອບການເຮັດວຽກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ຮູບເງົາປ້ອງກັນອຸນຫະພູມສູງ FPC, gaskets ເຄື່ອງມືຄວາມຮ້ອນ SMT ແລະອົງປະກອບ insulation mold ເອເລັກໂຕຣນິກ.
3. ຫມໍ້ໄຟ Lithium ແລະອຸດສາຫະກໍາພະລັງງານໃຫມ່
ຮູບເງົາ insulating ESD ປ້ອງກັນວົງຈອນສັ້ນແລະຄວາມສ່ຽງໄຟທີ່ເກີດຈາກການ frictional ໄຟຟ້າຂອງແຜ່ນ electrode. ຟິມແຜ່ນທີ່ທົນທານຕໍ່ໄຟ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ຕ້ານການສະຖິດແມ່ນຖືກນຳໃຊ້ກັບອຸປະກອນປ້ອງກັນການລະເບີດຂອງແບັດເຕີຣີເພື່ອປັບປຸງຄວາມປອດໄພໃນການເຮັດວຽກໂດຍລວມ.
ສາເຫດ: ການຂາດການຫມູນວຽນແບບ gradient ໃບເຮັດໃຫ້ຄວາມກົດດັນທີ່ຕົກຄ້າງຢູ່ໃນແຜ່ນ Anti-static PEEK Film. ການປຸງແຕ່ງດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງປ່ອຍຄວາມກົດດັນທີ່ຕົກຄ້າງແລະຜ່ອນຄາຍຕ່ອງໂສ້ໂພລີເມີ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດການເລື່ອນແລະການຟື້ນຟູຂອງເຄືອຂ່າຍ conductive ພາຍໃນ. ອັນນີ້ສົ່ງຜົນໃຫ້ເກີດການບ່ຽງເບນຄວາມຕ້ານທານແບບສຸ່ມ, ໂດຍພື້ນທີ່ທ້ອງຖິ່ນປ່ຽນເປັນ insulating ຫຼື conductive ຫຼາຍເກີນໄປ.
ສາເຫດຫຼັກ: ຄວາມຜູກພັນລະຫວ່າງເສັ້ນໄຍ-ມາຕຣິກເບື້ອງທີ່ບໍ່ດີ, ແທນທີ່ຈະເປັນຄວາມອ່ອນແອຂອງເສັ້ນໄຍກາກບອນ.
A. ການບີບອັດສະກູຫຼາຍເກີນໄປໃນລະຫວ່າງການເຮັດເມັດເກີນຈະຂັດເສັ້ນໃຍກາກບອນ ແລະທໍາລາຍຊັ້ນຫຸ້ມຂອງຢາງ.
B. ຕົວແທນຂະໜາດຂະໜາດທາງການຄ້າຢູ່ໃນເສັ້ນໄຍກາກບອນດິບເຮັດໃຫ້ເກີດການເຊື່ອມຕໍ່ໜ້າຕາຫຼັງຈາກການສຳຜັດກັບອຸນຫະພູມສູງ.
ການແກ້ໄຂ: ເອົາການປັບຂະຫນາດເສັ້ນໄຍທີ່ຍັງເຫຼືອແລະນໍາໃຊ້ຕົວແທນການປັບຂະຫນາດ PEEK ສະເພາະເພື່ອເສີມຂະຫຍາຍການເຊື່ອມຕໍ່ຂອງເສັ້ນໄຍມາຕຣິກເບື້ອງ interfacial ແລະສະກັດກັ້ນການແຕກຂອງການ friction-induced particle.
ສາເຫດ: ການລວມຕົວຂອງເສັ້ນໄຍກາກບອນໃນລະຫວ່າງການເຮັດເມັດເຂົ້າຈະເກີດເປັນຂຸມເສັ້ນໃຍຫຼັງການຫລໍ່. ເສັ້ນໃຍທີ່ທັບຊ້ອນກັນຢູ່ຈຸດລວມຕົວສ້າງພື້ນທີ່ຈຸນລະພາກທີ່ມີ conductivity ສູງທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າຫຼາຍ, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຕິດໄຟຂອງໄຟຟ້າໃນທ້ອງຖິ່ນ.
ວິທີການຄວບຄຸມ: ເພີ່ມປະສິດທິພາບຕົວກໍານົດການ granulation ເພື່ອດຸ່ນດ່ຽງການກະຈາຍຂອງ filler ແລະການຮັກສາຄວາມຍາວຂອງເສັ້ນໄຍ. ປະຕິບັດການກວດກາຄວາມຕ້ານທານທາງຂວາງຫຼາຍຈຸດໃນທົ່ວຄວາມກວ້າງຂອງຮູບເງົາທັງຫມົດ, ແທນທີ່ຈະພຽງແຕ່ການທົດສອບສ່ວນຫົວມ້ວນແລະຫາງ.
1. ເສັ້ນໂຄ້ງອຸນຫະພູມ annealing ທີ່ບໍ່ມີເງື່ອນໄຂ.
2. ຄວາມກົດດັນ winding ເກີນ induces ຄວາມກົດດັນການເກັບຮັກສາທີ່ເຫຼືອ. ເຖິງແມ່ນວ່າຈະຮາບພຽງຢູ່ຕາມການກວດກາໂຮງງານ, ຮູບເງົາຄ່ອຍໆ warps ເມື່ອຄວາມກົດດັນພາຍໃນປ່ອຍອອກມາໃນລະຫວ່າງການເກັບຮັກສາ.
ການແກ້ໄຂ: ຮັບຮອງເອົາຕົວກໍານົດການ winding ຄວາມກົດດັນຕ່ໍາທີ່ກໍາຫນົດເອງສໍາລັບຮູບເງົາບາງໆ; ຕົວກໍານົດມາດຕະຖານສໍາລັບຮູບເງົາ 0.3-0.5 ມມແມ່ນບໍ່ສາມາດໃຊ້ໄດ້.
1. ພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາວັດຖຸດິບ PEEK ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ມາຈາກສາກົນ ແລະ ສົມທົບກັບເຕັກໂນໂລຊີການຜະລິດທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງທີ່ແກ່ແລ້ວ. ຮູບເງົາ ESD PEEK ຂອງພວກເຮົາຫຼີກເວັ້ນຂໍ້ບົກພ່ອງໃນທ້ອງຖິ່ນທີ່ເກີດຈາກການລວມຕົວຂອງອະນຸພາກຄາບອນ, ລວມທັງເຂດຕ້ານທານຕໍ່າທີ່ມີທ້ອງຖິ່ນແລະຈຸດທີ່ຕາຍແລ້ວ insulating. ການກະແຈກກະຈາຍຂອງ filler ທີ່ບໍ່ດີເຮັດໃຫ້ການທໍາລາຍ electrostatic ທ້ອງຖິ່ນໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍແລະວົງຈອນສັ້ນຢູ່ບ່ອນເຮັດວຽກຂອງລູກຄ້າ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດການຂູດຂີ້ເຫຍື້ອແລະການສູນເສຍທາງດ້ານເສດຖະກິດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.
2. ຮູບເງົາ ESD PEEK ຂອງພວກເຮົາມີຄວາມຖືກຕ້ອງໃນມິຕິລະດັບສູງ ແລະ ຄວາມກົດດັນພາຍໃນຕໍ່າສຸດ, ທົນທານຕໍ່ການເກີດສົງຄາມແລະການຫົດຕົວພາຍໃຕ້ການຂີ່ຈັກຍານໃນອຸນຫະພູມສູງ. ດ້ວຍການກະແຈກກະຈາຍແບບສະຖິດ-ກະແຈກກະຈາຍແບບສະໝ່ຳສະເໝີ ແລະ ການກະຈາຍອະນຸພາກສູນ, ວັດສະດຸປ້ອງກັນການແຍກອະນຸພາກຂະໜາດນ້ອຍສີດຳໃນສະພາບແວດລ້ອມສູນຍາກາດທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ຫຼີກລ່ຽງການປົນເປື້ອນຂອງເລນ wafer ແລະ optical ແລະຄວາມສ່ຽງການຫຼຸດຜ່ອນຜົນຜະລິດ.
3. ຄວາມແຕກຕ່າງກັນຄວາມຕ້ານທານລະຫວ່າງທິດທາງເຄື່ອງຈັກແລະທິດທາງຂວາງໃນມ້ວນຮູບເງົາດຽວກັນແມ່ນຫນ້ອຍ. ການ deviation ຄວາມຕ້ານທານໂດຍລວມພາຍໃນມ້ວນດຽວແລະລະຫວ່າງ batches ທີ່ແຕກຕ່າງກັນແມ່ນຖືກຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດພາຍໃນຫນຶ່ງຄໍາສັ່ງຂອງຂະຫນາດ.
4. ພວກເຮົາສະຫນອງລະດັບຄວາມຕ້ານທານທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາແລະຂະຫນາດ slitting ສໍາລັບ semiconductor ທົ່ວໂລກ, ເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມແມ່ນຍໍາແລະລູກຄ້າ aerospace. ລູກຄ້າອາດຈະສົ່ງຮູບແຕ້ມຜະລິດຕະພັນ, ຕົວກໍານົດການອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານແລະຄວາມຕ້ອງການດ້ານການຕໍ່ຕ້ານ. ທີມງານວິສະວະກໍາຂອງພວກເຮົາຈະສົ່ງບົດລາຍງານການປະຕິບັດວັດສະດຸທີ່ສົມບູນແລະໃບສະເຫນີລາຄາໂດຍກົງຈາກໂຮງງານພາຍໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.
A1. Pure unfilled PEEK ສະຫນອງປະສິດທິພາບ insulating ທີ່ດີເລີດດ້ວຍຄວາມຕ້ານທານດ້ານເຖິງ 10¹⁴ Ω / sq. ມັນໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍສະສົມປະລິມານສະຖິຕິ, ຊຶ່ງສາມາດທໍາລາຍອົງປະກອບຄວາມແມ່ນຍໍາສູງເຊັ່ນ wafers ແລະຊິບ IC. ຮູບເງົາ PEEK ທີ່ດັດແປງ ESD ມີປະສິດທິພາບກະຈາຍກະແສໄຟຟ້າສະຖິດ ໃນຂະນະທີ່ຮັກສາຄຸນສົມບັດກົນຈັກ, ຄວາມຮ້ອນ ແລະເຄມີທີ່ເໜືອກວ່າທັງໝົດຂອງຢາງ PEEK ບໍລິສຸດ.
A2. ສະບັບເລກທີ: ການຫຼົ່ນລົງຂອງອະນຸພາກແມ່ນມາຈາກການຜູກມັດທີ່ອ່ອນເພຍຢູ່ທີ່ການໂຕ້ຕອບຂອງເສັ້ນໄຍຄາບອນ ແລະເມທຣິກຂອງຢາງ, ເຊິ່ງຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນລະຫວ່າງການສ້າງເມັດ ແລະ ເມັດດິນ. ການຂັດ ແລະການທໍາຄວາມສະອາດຕໍ່ມາພຽງແຕ່ສາມາດເອົາຝຸ່ນຄາບອນທີ່ລອຍຢູ່ພື້ນຜິວ, ແຕ່ບໍ່ສາມາດສ້ອມແປງຂໍ້ບົກພ່ອງພາຍໃນພາຍໃນໄດ້. Friction ຍັງຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການຫຼົ່ນລົງຂອງອະນຸພາກຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ໃນໄລຍະຍາວ.
A3. ESD PEEK ທີ່ເຕັມໄປດ້ວຍຄາບອນເສັ້ນໄຍທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງປະກອບເປັນເຄືອຂ່າຍການນໍາພາຍໃນທີ່ຫມັ້ນຄົງໂດຍບໍ່ມີອາຍຸຫຼືການທໍາລາຍປະສິດທິພາບ. ບໍ່ເຫມືອນກັບຮູບເງົາຕ້ານ static ເຄືອບດ້ານ, ຄຸນສົມບັດ dissipative static ຂອງມັນແມ່ນຖາວອນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຖ້າສ່ວນຕິດຕໍ່ຂອງເສັ້ນໄຍ-ມາຕຣິກເບື້ອງຖືກເສຍຫາຍ, ການສະສົມຂອງສິ່ງເສດເຫຼືອທີ່ເກີດຈາກ friction-induced ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຈະປ່ຽນແປງປະສິດທິພາບ ESD ທ້ອງຖິ່ນ.
A4. ESD PEEK ທີ່ເຕັມໄປດ້ວຍກາກບອນໃຍແກ້ວສະແດງ anisotropy conductive ທີ່ເກີດມາຈາກການປະຖົມນິເທດການໄຫຼຂອງເສັ້ນໄຍໃນລະຫວ່າງການ extrusion. ການທົດສອບພຽງແຕ່ທິດທາງດຽວບໍ່ສາມາດກວດພົບການປະຕິບັດພາຍໃນຜິດປົກກະຕິ. ການກວດກາຜະລິດຕະພັນສໍາເລັດຮູບຕ້ອງປະກອບມີທັງທິດທາງເຄື່ອງຈັກ (MD) ແລະການທົດສອບຄວາມຕ້ານທານ transverse (TD) ເພື່ອຄວບຄຸມ anisotropy ແລະຫຼີກເວັ້ນຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງທີ່ມີຄຸນນະພາບຂອງ batch ສໍາລັບລູກຄ້າ.
A5. ໃນລະຫວ່າງການຫລໍ່ຫລໍ່, ເສັ້ນໃຍກາກບອນສອດຄ່ອງຕາມທິດທາງການໄຫຼຂອງວັດສະດຸ, ການສ້າງ anisotropy ທໍາມະຊາດ. ຄວາມທົນທານທີ່ມີຄຸນວຸດທິໃນອຸດສາຫະກໍາເຮັດໃຫ້ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງຄວາມຕ້ານທານສູງເຖິງຫນຶ່ງຄໍາສັ່ງຂອງຂະຫນາດລະຫວ່າງການໄຫຼແລະທິດທາງຂວາງ. ການບ່ຽງເບນທີ່ເກີນສອງຄຳສັ່ງຂອງຂະໜາດແມ່ນຖືວ່າບໍ່ມີເງື່ອນໄຂ. ດັ່ງນັ້ນ, ທັງສອງຄວາມຕ້ານທານທິດທາງຕ້ອງໄດ້ຮັບການທົດສອບໃນລະຫວ່າງການກວດກາທີ່ເຂົ້າມາ.
A6. ໂດຍມາດຕະຖານອຸດສາຫະກໍາ, ວັດສະດຸ PEEK ທີ່ມີຄວາມຫນາ ≤ 0.5mm ແມ່ນກໍານົດເປັນຮູບເງົາ ESD PEEK, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວແມ່ນຜະລິດແລະສະຫນອງໃນຮູບແບບມ້ວນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ. ວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມຫນາ ＞ 0.5 ມມຖືກຈັດປະເພດເປັນແຜ່ນ ESD PEEK, ຜະລິດໂດຍຜ່ານການ molding ແຜ່ນແຂງ. ທັງສອງປະເພດຮັບຮອງເອົາຂະບວນການສ້າງແລະການຜະລິດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.
